薄膜デバイスの性能が薄膜の結晶性やマクロ構造に依存することはいうまで
もありません．工業的プロセスにおいては，基板とする材料の種類，その大き
さやプロセス温度，さらにはプロセスのコストなど多くの条件が付与されます
が，それぞれの条件において最適のプロセスを開発・応用していくことが，デ
バイス品質を要求される条件のもとで満たしていくために必須であるといえま
す．特に基板の面積が大きく，かつその温度が制限される場合には，低い基板
温度におけるプロセスの複合化や各種の後処理による薄膜結晶性あるいはマク
ロ構造の制御が求められております．このような背景のもと，高結晶性薄膜の
作製方法とその成長機構について認識を深めるとともに，より良いプロセスを
開発し，選択していくための学術的バックボーンを確立することを目的として，
薄膜結晶成長分野でご活躍の方々を講師にお招きし，日本真空協会の研究部会
とSP部会が合同で研究会を開催いたします．皆様のご参加をお待ち申し上げて
おります．

日　時：平成21年9月16日（金）13:00〜17:00（受付 12:30〜）
場　所：東京ビッグサイト　会議棟605会議室

                      −講演プログラム−

■開会の挨拶              （研究部会　部会長）土佐　正弘　13:00〜13:05

1.「薄膜の結晶化とその制御」
                （名古屋大学大学院工学研究科）財満　鎭明　13:05〜13:45

2.「結晶化・相変化制御への応用
　　−熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化」
          （広島大学大学院先端物質科学研究科）東　清一郎　13:45〜14:25

3.「マイクロプラズマによる無機ナノ粒子の合成と堆積技術」
                        （産業技術総合研究所）清水　禎樹　14:25〜15:05

                      (休憩　15:05〜15:25)

4.「高性能Si薄膜結晶化素子および製法に関する研究」
                              （琉球大学工学部）野口　隆　15:25〜16:05　

5. 「GaN系エピの結晶薄膜成長評価」
               （NTTアドバンステクノロジ(株)）渡邉　則之　16:05〜16:45

■閉会の挨拶                （SP部会　部会長）草野　英二　16:45〜16:50


参加費（予稿集代・消費税を含む）　当日受付にて、お支払いください。
　　スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員　　 　無料
　　日本真空協会・日本真空工業会会員　　　　　　　　　　3,000円
　　一般　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　5,000円
　　学生　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1,000円
　　※お申込は事前に行ってください。ただし、余席があれば当日も受け付けます。

申し込み・問い合わせ先
　　日本真空協会事務局　　　　　TEL:03-3431-4395    FAX:03-3433-5371
                                E-mail: ofc-vsj@vacuum-jp.org