産業部会 1月定例部会(第239回)のお知らせ

産業部会は,真空技術に関する多様な情報を紹介することを目的として活動を続けております.平成22年
1月定例部会のプログラムをお知らせいたします.定例部会終了後には,毎回恒例となっております講師を
囲んでの懇親会を開催いたします.さらに深く突っ込んだディスカッションや情報交換の場としてご活用
ください.新年最初の例会です. 皆様お誘い合わせの上,奮ってのご参加をお待ち申し上げます.



日 時:平成22年1月21日(木)14:00〜16:30
場 所:機械振興会館B3-1 号室(地下3 階)
参加費:無料

 
               ープログラムー

開会挨拶         (日本真空協会 産業部会長) 土岐和之 14:00〜14:10

1.飛行時間型質量分析計を用いた極微量成分分析装置
                              ((株)トヤマ 開発部) 中川 潤 14:10〜15:10

 [講演要旨]
弊社で設計製作している飛行時間型質量分析計(KNTOF-1800)を基礎として, 小型可搬式質量分析計 -LICA-MS400,JET-REMPI質量分析計,及び,FIB-EB-TOF-SIMSの3種類の極微量成分分析装置を開発した. 本講演ではこれら開発機器について述べる.
                 休  憩 2.次世代LSI多層配線用低誘電率BCN層間絶縁体薄膜の開発 (大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 教授) 杉野 隆 15:30〜16:30 [講演要旨]
現在,シリコンLSI多層配線用層間絶縁体薄膜として低誘電率(low-k)のSiOC膜(誘電率2.6)が用 いられている.次世代LSIには2以下のk値が望まれている.我々は窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜を用 いて2以下のk値を実現している.本講演ではlow-k膜の開発経緯を述べ,BCN膜の合成および2以下の 誘電率を有するBCN薄膜の諸特性を紹介する.
 講演終了後,講師をお招きして懇親会(会費2,000円)を開催します.講師への質問,相互の情報交等, 有意義なディスカッションができますので,こちらにも多数ご参加下さい. ◎次回の開催予定:平成22年3月24日(水). 申込み・問合せ先:日本真空協会事務局(荻野)          〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 機械振興会館306号室          TEL:03-3431-4395 FAX:03-3431-5371          E-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org