スパッタリング技術は、各種産業の基盤技術としてのみならず、最先端プロセスに
おいても不可欠な成膜手法として広く認知されています。International Symposium
on Sputtering and Plasma Processes（ISSP）は1991 年にスタートし、20年にわ
たってスパッタリングの最新技術に関する情報交換の場を提供してまいりました。
本年より2010年代に入ることを機に、スパッタリング技術の新たな可能性を探るべ
く、日本真空協会研究部会とSP部会の合同研究会としてISSP2011プレセッションを
開催いたします。新たな10年の始まりとしてメイントピックを「201X時代のスパッ
タリング技術」と題し、第一線でご活躍の研究者あるいは技術者のみなさまをお招
きいたしました。皆様のご参加を心よりお待ち申し上げております。

日　時：2010年9月1日（水）13:00〜16:45（受付 12:30〜）
場　所：東京ビッグサイト　会議棟605会議室

　　　                      −講演プログラム−

■開会の挨拶　ISSP2011 実行委員長 中川原 修（(株)村田製作所）　13:00〜13:05

1.「次世代電子デバイス用スパッタ成膜技術」
　　　　　　（キヤノンアネルバ(株)半導体装置技術部）中川 隆史　13:05〜13:45

2.「ミニマルファブ構想〜ハーフインチ化による生産性向上」　
　　　（産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門）原　史朗　13:45〜14:25

3.「Impact of Sputter Materials and Sputter Techniques on Large Area Coatings」
　　　　　　　　　　　　　　　（Applied Materials）John Busch　14:25〜15:05
   (当初予定の Gerd Kleideiter 氏から講演者が変更になりました)

　　　　　　　　　　　　　(休憩　15:05〜15:20)

4.「透明酸化物半導体：最近の展開から」
　　　　　（東京工業大学 フロンティア研究センター）細野　秀雄　15:20〜16:00

5.「ＦＰＤ用大型ガラス基板へのスパッタリング技術」
　　　　　　　　　（(株)アルバック 千葉超材料研究所）新井　真　16:00〜16:40

■閉会の挨拶　日本真空協会 研究部会長　杉山 直治（(株) 東芝）　16:40〜16:45


参加費（予稿集代・消費税を含む）　当日受付にて、お支払いください。
　　スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員　　 　無料
　　日本真空協会・日本真空工業会会員　　　　　　　　　　3,000円
　　一般　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　5,000円
　　学生　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1,000円
　※お申込は事前に行ってください。ただし、余席があれば当日も受け付けます。

申し込み・問い合わせ先
　　日本真空協会事務局　　　　　TEL:03-3431-4395    FAX:03-3433-5371
                                E-mail: ofc-vsj@vacuum-jp.org