平成23年10月25日開催の協会理事会において，定款細則の改定が行われ，当部会は「産学連携委員会」と
改称いたしました．これを機会に会員の皆様に更によりよいサービスを提供するよう努めてまいります．
今回はユニークな国産プラズマ応用技術についてのご講演です．皆さま多数のご参加をお待ち申し上げます．
日 時：平成24(2012)年3月21日（水）14:00～16:30
場 所：機械振興会館（芝公園）B3-1号室（地下3階）
参加費：無料
－プログラム－
開会挨拶 （日本真空協会 産学連携委員会委員長） 土岐 和之 14:00～14:10
１．スパッタプラズマ拘束技術と薄膜特性について
（（株）エフ・テイ・エス コーポレーション 代表取締役） 門倉 貞夫 14:10～15:10
［講演要旨］
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スパッタプラズマ応用の観点から、ターゲットから基板へ原子を堆積するプラズマ空間における①マグネト
ロンスパッタ（MS）に代表されるオープンな電磁界モードによる薄膜と②対向ターゲット式スパッタ技術
（NFTS）が求める閉じた電磁界モードが可能にした薄膜の性質についての実施例比較，③NFTSの大型化技術
の進展を紹介する．
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休 憩
２．無残渣加工可能な吸引型局所プラズマによる半導体デバイス加工とその応用
（産業技術総合研究所ナノシステム研究部門 主任研究員） 清水 哲夫 15:30～16:30
［講演要旨］
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高集積化が進む半導体デバイスの不良解析を効率よく実施するには，金属配線を残したまま絶縁材料をエッチ
ングする必要がある．吸引型局所プラズマ加工装置は，試料近傍の反応ガスを吸引管に引き込んでからプラズ
マ発生させる新しい手法で，試料に残渣を残すことなく半導体デバイス加工できる．本手法についてこれまで
の成果をまとめて報告する．
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講演終了後，講師をお招きして交流会（会費2,000円）を開催します．講師への質問，相互の情報交換
等，有意義なディスカッションができますので，こちらにも多数ご参加下さい．
なお，例会，懇親会に参加ご希望の方は，準備の都合上，事前に事務局宛ご連絡頂きますようお願いいた
します．
申込み・問合せ先：一般社団法人 日本真空協会 事務局
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 機械振興会館306号室
TEL:03-3431-4395 FAX:03-3433-5371
E-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org
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