スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第137回定例研究会
テーマ：「バッファ層を用いた機能膜」

　スパッタリング法は、大面積成膜が容易，膜厚制御性が高い，多様な材料へ適用可能
などの特徴から、汎用性の高い真空成膜プロセスとして、ますます用途を拡大しており
ます。今後付加価値を高めた機能膜への応用として、より高度な結晶構造制御が求めら
れています。例えば、基板との格子不整合の克服、格子欠陥や結晶面方位の制御など、
工業化を進める上で、極めて重要なテーマ・課題があります。その解決策の一つが、基
板−薄膜界面へのバッファ層の導入です。今回の研究会では、バッファ層を利用した薄
膜堆積分野の最先端でご活躍の方々を講師としてお招きしました。
皆様のご参加を心よりお待ち申し上げております。

日　　時：平成26年3月13日（木）　13:00〜16:40 (受付 12:30〜)
場　　所：機械振興会館　地下3階　B3-1号室
　　　　 （東京都港区芝公園3-5-8）

講演プログラム:（講演名は変更の可能性があります）
「新しいバッファー層を用いた高品質GaNの成長」　
　　　　　　　　　　　　 ＮＴＴ物性科学基礎研究所　熊倉 一英　　13:00〜13:40

「ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜を
　バッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数」　
　　　　　　　　　　　　　　　 富山県工技センター　岩坪　聡 　　13:40〜14:20

「スパッタ法によるZnO薄膜の合成とそのバイオセンサーへの応用」　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　 東京電機大学　篠田 宏之　　14:20〜15:00

　　　　　　　　　　　　　―　休憩　―　　　　　　　　　　　　　15:00〜15:20

「高周波スパッタリングによるSi(111)基板上ZnO薄膜作製に
　おける3C-SiCバッファ層効果」　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　 愛知教育大学　清水 秀己　　15:20〜16:00

「不純物添加結晶化法を用いた高品質ZnO薄膜のスパッタリング成膜」　
 -格子不整合基板上への単結晶膜の作製から極薄透明導電膜の作製まで-　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　九州大学　板垣　奈穂　　16:00〜16:40


参加費：1.SP部会員　　　　　　　　　　　　　　　　無　料
　　　　2.日本真空学会個人会員　　　　　　　　　　\23,000
　　　　3.日本真空学会法人会員　　　　　　　　　　\18,000
　　　　4.教育機関，公的機関に属する者　　　　　　\12,000
　　　　5.学生　　　　　　　　　　　　　　　　　　\ 5,000
　　　　6.一般　　　　　　　　　　　　　　　　　　\28,000


問合せ先：一般社団法人 日本真空学会　TEL：03-3431-4395，FAX：03-3433-5371
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　e-mail：ofc-vsj@vacuum-jp.org