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第56回真空に関する連合講演会ならびに公益社団法人日本表面科学会の第35回表面科学学術講演会は2015年真空・表面科学合同講演会として開催されます．今回は，基調講演，両学会の分野別セッション，日本表面科学会の部会セッションに加えて両学会の合同セッション，合同シンポジウム，さらには，六学会（AVS,CVS,KVS,TVS,VSJ,SSSJ）合同国際シンポジウム「先端ナノ計測の最近の進展」が予定されています．充実した講演会になるよう，多数の方々のご投稿，ご参加をお願い致します．また，今回は両学会合同での展示会も開催いたしますので是非お立ち寄りください．

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1．期日

2015年12月1日（火），2日（水），3日（木）

2．会場

つくば国際会議場 （茨城県つくば市竹園2丁目20-3）
“つくばエクスプレス”「つくば駅」または「つくばセンター」バス停下車 徒歩10分
会場へのアクセスと会場案内(pdfファイル)

口頭講演，企業セミナー，企業プレゼンテーション：
A会場：大ホール（入口は2 階）
B会場：1階　大会議室101
C会場：1階　大会議室102
D会場：2階　中会議室201A
E会場：2階　中会議室201B		 F会場：2階　中会議室202A
G会場：2階　中会議室202B
H会場：3階　小会議室303
E会場：3階　小会議室304
ポスターセッション，企業展示，ミキサー：
多目的ホール

3．講演時間（1件あたり）

基調講演
招待講演・特別講演
合同シンポジウム
合同国際シンポジウム
表面科学会受賞記念講演
真空学会受賞記念講演
一般口頭講演
一般ポスター講演		 45分（討論時間を含む）
30分（討論時間を含む）
30分（討論時間を含む）
30分（討論時間を含む）
学会賞35分，会誌・技術賞30分（討論時間を含む）
技術賞・進歩賞・会誌賞各15分（討論時間を含む）
15分（講演10分＋討論5分）
発表120分，コアタイム60分（審査対象者は120分）

4．基調講演（2015年12月2日（水）10:30～12:00　A会場：大ホール，英語講演）

Akira Fujishima（藤嶋 昭）（Tokyo University of Science（東京理科大））
「TiO2 Photocatalysis, Present Situation and Future Approaches」
Hideo Hosono（細野 秀雄）（Tokyo Institute of Technology（東京工業大））
「Creating Active Functionality Utilizing Abundant Elements」

5．シンポジウム

・合同シンポジウム「新規低次元材料の形成と素子応用」（12月1日（火）9:15～12:00　B会場：大会議室101）

講演者および講演題目

塚越一仁（物材機構）
「原子膜半導体を用いた電界効果素子」
島田敏宏（北海道大）
「層状金属カルコゲナイドCVD成長におけるナノ形態制御」
山本秀樹（NTT物性基礎研）
「2次元-3次元ヘテロ積層構造の形成と素子応用」
佐々木高義（物材機構）
「酸化物ナノシートの創製と応用」
高村（山田）由起子（北陸先端大）
「シリセンの素子材料としての可能性」

・合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドギャップ半導体の最前線」（12月1日（火）15:30～18:45　B会場：大会議室101）

講演者および講演題目

宇治原徹（名古屋大）
「転位変換現象を利用した超高品質SiC結晶の溶液成長」
矢野裕司（筑波大）
「SiC MOSFETとMOS界面の最近の進展」
森 勇介（大阪大）
「Naフラックス法によるGaN結晶育成技術」
橋詰　保（北海道大）
「GaN異種接合界面の制御と先端HEMT技術への応用」
鹿田真一（関西学院大）
「パワーデバイス用ダイヤモンド単結晶と高品質化」
嘉数　誠（佐賀大）
「ダイヤモンド MOSFET界面の最近の進展」
・合同シンポジウム「アジアの最先端加速器と将来展望」（12月3日（木）9:00～11:45　B会場：大会議室101，英語講演）
Joint Symposium “Cutting-Edge Accelerators in Asia and Their Future Perspectives”

講演者および講演題目

Lixin Yin（SINAP, CAS, China）
「Progress and Future of Shanghai Synchrotron Radiation Facility」
Gao-Yu Hsiung（NSRRC, Taiwan）
「Achievement of Taiwan Photon Source Project」
Junichiro Kamiya (神谷潤一郎) (JAEA (原子力機構))
「Vacuum Technology for Japan Proton Accelerator Research Complex」
Masaya Oishi (大石真也) and Haruo Ohkuma（大熊春夫）(JASRI/SPring-8)
「Steps and Strides of SPring-8 and Its Future Perspective: A Viewpoint from Vacuum Technology」
Hiroshi Sakai（阪井寛志）（KEK（高エネ研））
「Superconducting RF Accelerating Cavity Techniques as a Basis for Future Accelerators　– Learn from the development and beam operation for Compact ERL — 」

・合同シンポジウム「デバイス動作下・化学反応環境下での表面分析：オペランド観測の最先端」（12月3日（木）13:00～15:45　B会場：大会議室101）

講演者および講演題目

雨澤浩史，中村崇司（東北大）
「放射光X線を用いた固体酸化物形燃料電池のオペランド計測」
石田暢之（物材機構）
「走査型プローブ顕微鏡によるエネルギー変換・貯蔵デバイスのオペランド計測」
朝倉大輔（産総研）
「軟X線発光分光によるリチウム電池のオペランド計測」
長井康貴（豊田中研）
「XAFSを用いた自動車用排ガス触媒の研究」
高木康多（分子研）
「光電子分光によるオペランド計測」
・合同国際シンポジウム2015 ～先端ナノ計測の最近の進展～（英語講演）
2015 International Joint Symposium on Recent Progress of Advanced Nanocharacterization
（12月2日，13:25 – 18:30 at Room 201A+B）

韓国真空学会・日本真空学会・日本表面科学会の3学会による合同シンポジウム (KVS-VSJ-SSSJ Joint Symposium)の拡大版として，今年は台湾真空学会(TVS)，
米国真空学会(AVS)，中国真空学会(CVS)も加えた6学会によるシンポジウムを予定しています．是非ご期待ください．

招待講演者および講演題目

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Prof. Robert W. Carpick (University of Pennsylvania)
“New insights into friction and wear through in-situ nanotribology”
2Dp2
Prof. Dr. Haiming Guo (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
“Control of Kondo Effect of Individual Magnetic Atom/Molecule on Surfaces”
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Prof. Zee Hwan Kim (Seoul National University)
“Nanoparticle plasmonics: from single-molecule surface chemistry to nano-imaging of 2D materials”
———————–Short Brake———————–
2Dp4
Prof. Jiandong Guo (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
“Precise growth control of oxide polar films”
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Prof. Tae-Hwan Kim (Pohang University of Science and Technology)
“Chiral Edge States of One-Dimensional Topological Insulators”
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Prof. Ing-Shou Hwang (Institute of Physics, Academia Sinica)
“Adsorption and ordering of nitrogen and oxygen molecules at the HOPG/water interface”
———————–Short Brake———————–
2Dp7
Prof. Jun Yoshinobu (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo)
“In-situ observation of Pd surfaces under hydrogen pressure”
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Dr. Chia-Hao Chen (National Synchrotron Radiation Research Center)
“Soft X-ray spectromicroscopy for surface nanocharacterization”
2Dp9
Prof. Takanori Koshikawa (Fundamental Electronics Research Institute, Osaka Electro-Communication University)
“Development of high brightness and high spin-polarized low energy electron microscopy and application to spintronics magnetic thin film materials”
座長：長谷川修司（東京大学）小森文夫（東京大学）福谷克之（東京大学）
共催：韓国真空学会（KVS）
（4th KVS-VSJ-SSSJ Joint Symposiumとしての開催）
協賛：米国真空学会（AVS）
（AVS Endorsed Topical Conferenceとしての開催）		 AVS_logo
協力：中国真空学会（CVS），台湾真空学会（TVS）
（プログラム編成への協力）

6．特別講演(真空)および招待講演(合同・表面)

セッション・分野 講演者（所属） 講演題目（仮題を含む） 日時（会場）
半導体電子材料の理論と実際
（合同）		 白石賢二
（名古屋大）		 ワイドギャップ半導体MOS界面の物理 12月1日（火）
9：15（F会場）
半導体電子材料の理論と実際
（合同）		 柿本浩一
（九州大）		 半導体材料結晶成長に関する数値解析 12月1日（火）
11：30（F会場）
炭素系ナノ物質の作製と特性
（合同）		 斉木幸一朗
（東京大）		 酸化グラフェン塗布膜の還元過程解明と高移動度化 12月1日（火）
15：30（G会場）
表面化学吸着・拡散・相互
作用と動的過程（合同）		 倉橋光紀
（物材機構）		 スピンと配列を制御したO2分子ビーム生成と表面反応解析への応用 12月3日（木）
13：00（F会場）
表面構造
（表面）		 山田健郎
（産総研）		 単層CNTスーパーグロース法の開発と実用化への展開 12月3日（木）
13：00（H会場）
表面物性
（表面）		 高木紀明
（東京大）		 表面分子磁性 12月2日（水）
13：30（H会場）
表面反応
（表面）		 中村潤児
（筑波大）		 CO2の活性化とメタノール合成 12月3日（木）
9：00（F会場）
表面分析・評価技術
（表面）		 菅原康弘
（大阪大）		 原子レベルでの表面磁性を可視化する新規SPM計測法の開発 12月1日（火）
9：15（D会場）
低次元・ナノ物質
（表面）		 安藤　淳
（産総研）		 層状化合物半導体エレクトロニクス 12月3日（火）
9：00（C会場
ソフトマター
（表面）		 奥村　剛
（お茶ノ水大）		 ソフトマターの物理 12月1日（火）
9：15（C会場）
環境・エネルギー材料
（表面）		 星　永宏
（千葉大）		 構造規定された金属表面からナノ微粒子へ 12月2日（水）
17：15（I会場）
真空科学技術
（真空，VST）		 田邊 敏也
(Brookhaven Natl. Lab.)		 National Synchrotron Light Source II 計画と挿入光源 12月1日（火）
9：15（G会場）
表面工学
（真空，SE）		 足立 幸志
（東北大）		 真空中低摩擦のためのナノ界面創生コーティング 12月2日（水）
15：30（F会場）
応用表面科学
（真空，ASS）		 二宮 啓
（山梨大）		 真空型帯電液滴ビーム銃の開発と表面分析への応用 12月2日（水）
17：15（F会場）
薄膜
（真空，TF）		 長谷川雅考
（産総研，TASC）		 透明導電膜への応用のためのグラフェンのプラズマ合成 12月3日（木）
9：00（G会場）
プラズマ科学技術
（真空，PST）		 上坂裕之
（名古屋大）		 マイクロ波励起・高密度・基材近接プラズマの基礎とDLC成膜への応用 12月3日（木）
9：30（G会場）
真空ナノエレクトロニクス
（真空，OS）		 三村秀典
（静岡大）		 真空ナノエレクトロニクスに期待する 12月3日（木）
13：00（E会場）
真空ナノエレクトロニクス
（真空，OS）		 嶋脇秀隆
（八戸工大）		 シリコンフィールドエミッタからの光支援高速変調電子ビームの発生 12月3日（木）
13：30（E会場）
真空ナノエレクトロニクス
（真空，OS）		 難波正和
（NHK技研）		 電界放射電子源アレイを用いた超高感度平面撮像管の開発 12月3日（木）
14：45（E会場）

8．合同セッション

1．半導体電子材料の理論と実際
12月1 日（火）9:15～12:00　F会場中会議室202A
2．炭素系ナノ物質の作製と特性
12月1 日（火）15:30～18:30　G会場中会議室202B
3．光・X線とナノ材料分析
12月2 日（水）15:30～18:30　G会場中会議室202B
4．表面化学吸着・拡散・相互作用と動的過程
12月3 日（木）13:00～16:15　F会場中会議室202A 

8．一般講演分野（講演時間1件15分［討論時間5分を含む］，口頭発表形式は原則としてPCプレゼンのみ）

下記の真空セッションの講演分野に関する講演を募集します．「表面科学」と「ナノ構造」の分野では表面科学会との合同セッションを予定しています．その他の分野でも，適宜合同セッションを編成することがあります．

分野 キーワード
真空科学技術 真空ポンプ，真空計測，真空材料，流れ解析，ガス放出，極高真空，加速器，真空応用技術，真空プロセス一般
表面工学 表面改質，コーティング，超撥水，超親水，溶射，腐食防食，焼結，浸炭，接合
表面科学
（合同セッションを予定）		 表面物理，表面化学，表面状態，表面磁性，表面反応，触媒反応，光電変換
応用表面科学 表面分析，マイクロビームアナリシス，標準化，表面処理，実験技術，電子源
薄膜 薄膜物性，薄膜構造，解析技術，作製技術，磁性薄膜，薄膜応用
プラズマ科学技術 プラズマ計測，プラズマ源，プラズマプロセス，スパッタ，イオン技術，核融合
ナノ構造
（合同セッションを予定）		 ナノ構造，ナノ物性，ナノ計測，TEM，SPM，CNT，グラフェン，クラスター
電子材料・プロセス 半導体デバイス，電子デバイス，太陽電池，CVDプロセス，エッチングプロセス
その他 バイオナノテクノロジー，有機電子デバイス，トライボロジー，宇宙関連技術他

9．ポスター発表

希望の方は申込の際に「ポスター発表」を選択してください．日本真空学会のセッションで発表される若手によるポスター発表の中から優秀なものを選び「日本真空学会優秀ポスター賞」として表彰します．審査を希望する場合は講演申込の際にその旨を入力してください．なお，受賞資格は，筆頭発表者が2015年4月1日現在40歳未満の日本真空学会個人会員・法人会員に属する個人・学生会員あるいは入会予定者（合同講演会当日までに入会手続きを完了していること）であることです．
優秀ポスター賞の詳細は，「Journal of the Vacuum Society of Japan」58巻5号の会告「優秀ポスター賞について」あるいは本ウェブページの上にあるメニュー内の「優秀ポスター賞について」をご覧ください．

10．表彰式・受賞講演

日本真空学会学会賞・真空の匠・フェロー顕彰式，論文賞・技術賞・進歩賞・会誌賞表彰式，受賞講演：
12月2日（水）9：00～10：25　　B会場：１階　大会議室101
日本表面科学会学会賞・論文賞・会誌賞・奨励賞・技術賞・産業賞表彰式，学会賞受賞講演：
12月2日（水）9：00～10：25　　A会場：大ホール（入口は2 階）


11．講演申込方法

登壇者は日本真空学会の個人会員，学生会員，および法人会員に属する個人，日本表面科学会の正会員，学生会員，および賛助会員・維持会員の所属会社員に限ります．
これらに該当しない方で講演を希望される場合は，日本真空学会への入会手続きを行ってください．
講演申込は本ウェブページからの電子申込のみです． 本ウェブページの上にあるメニューから講演申込を選択し，詳細な説明をご覧頂いた後，手順に従って必要事項を入力のうえお申し込みください．入力に際しては「入力に関する注意事項」をお読みください．(講演題目・発表者名・所属の英語標記での登録にもご協力ください．)
また，予稿集原稿も電子投稿のみです．PDF形式のファイルによりご提出頂いた予稿集原稿を，A4判の予稿集として当日配布します．A4判の予稿集１頁に予稿２件を掲載します．基調講演の場合の予稿サイズはA4判（縦）の用紙１枚になります．本ウェブページに予稿集原稿テンプレートおよび要綱を提示しますので，ご参照ください．
申込受付期間　2015年6月21日(日) 9:00 ～ 7月27日(月) 17:00 （WEB受け付け）（受付期間が延長されました．）
予稿受付期間　2015年9月1日(火)～9月24日(木) 17:00 （WEB受け付け）

12．発表番号

8月末日までにE-mailにて申込者に採択結果と発表番号をご連絡します．ポスター発表に該当された方には，その際に発表要領をお知らせします．

13．オーガナイズドセッション

日本真空学会会員に関心のある特定分野の研究成果に関わる学術的な議論をより活性化し，学術情報の交換と新たな知識の創造の場としての学会機能を強化するため，会員の皆様のより直接的な提案に基づく「オーガナイズドセッション」を開催します．詳細は本ウェブページの上にあるメニュー内の「オーガナイズドセッションの提案採択について」をご覧ください．

「限界に挑む真空ナノエレクトロニクスの現状と展望」オーガナイザ後藤康仁（京都大）
12月3日（木）13:00～16:00　E会場中会議室201B

14．参加申込方法・参加費

一般
一般
一般
一般		 日本真空学会個人会員及び法人会員に属する個人
日本表面科学会正会員，維持会員・賛助会員の所属会社員
協賛学協会会員
非会員		 6,000円
6,000円
7,000円
8,000円
学生
学生
学生
学生		 日本真空学会学生会員
日本表面科学会学生会員
協賛学協会学生会員
非会員		 3,000円
3,000円
5,000円
5,000円

参加申込は当日受け付けます．
参加費は当日現金にて申し受けます．
上記参加費には，講演予稿集（真空学会・表面科学会の合冊）を含みます．

15．合同懇親会・ミキサー

ミキサー：
12月1日（火）18：45～20：30（予定），　多目的ホールにて開催．
合同懇親会：
12月2日（水）18：45～20：30（予定），　１階　大会議室にて開催．
参加費：4,000円（講演会参加登録時に受付）


16．併設展示会および企業プレゼンテーション・企業セミナー

本年もポスター発表会場（多目的ホール）において，新製品の紹介と産学の架け橋をすべく，企業展示会（12月1日および12月2 日）を開催いたしますので是非お立ち寄り下さい．併設展示会のみの参加は無料です．期間中には展示企業によるプレゼンテーションおよびセミナー（12月1 日および12月2 日の昼食時間）を口頭講演会場にて，参加者にはランチ提供（数量限定）を行い開催致します．企業詳細は本ウェブページでお知らせします．

企業展示会：
12月1日（火）12：00～12月2日（水）17：00，　多目的ホールにて開催．
企業プレゼンテーション・企業セミナー：
12月1日（火）および12月2日（水）昼食時間，　口頭講演会場にて開催．

17．プロシーディングス

連合講演会のプロシーディングスは，「Journal of the Vacuum Society of Japan」誌に掲載する予定です．詳細は「Journal of the Vacuum Society of Japan」58巻5号の「連合講演会プロシーディングスの発行について」あるいは本ウェブページの上にあるメニュー内の「プロシーディングス」をご参照ください．

18．合同講演会における託児サービス補助制度

合同講演会での講演発表のために帰宅時間が遅くなるなどの理由で，通常の保育（保育園や幼稚園，託児室などでの保育）の範囲を超えてお子様の保育を頼まなければならない場合，小学校就学前のお子様に限り保育料の一部を援助いたします．
補助額：登壇日のみの支給．1日あたり実費の半額まで．ただし上限を5千円とする．
希望する方はメールにて各学会事務局宛に申請をしてください．

19. 表面科学学術講演会

表面科学学術講演会のシンポジウム，招待講演，分野別セッション，研究部会セッション等が併設されます． なお，日本真空学会会員は表面科学学術講演会セッションへの登壇資格があります．

講演分類
1. 表面物性，2. 表面反応，3. 表面構造，4. 表面分析・評価技術，5. 半導体・磁気・電子・光デバイス材料，6. 低次元・ナノ物質，7. ソフトマター，
8. 環境・エネルギー材料，9. その他
一部が真空学会との合同セッションになります．

20．その他

本講演会の会期中または会期後に，下記の行事が開催されます．御興味のある方は本講演会とあわせてご参加ください．

(1) スクールコース（教育委員会） 12月3日(木) 午後

超高真空下での表面科学研究を行なうには，その目的に最適化した超高真空装置を製作することが望まれます．しかしながら予算等の制限により，新しい装置の製作や既存の装置の改良を自分で行なう必要に迫られることも少なくありません．そこで本スクールコースでは，表面研究のための超高真空装置を製作，改良する上で必要な知識とノウハウを，実例に基づき丁寧に説明します．今年4月に真空・表面科学関連分野の研究室，メーカーに配属されたばかりの方，装置製作，装置改良の技術をさらに磨きたいと考えておられる方は是非受講ください．

(2) 第6回真空・表面科学若手研究会 12月 4日(金) （会場：物質・材料研究機構（NIMS））

本研究会は，“真空”と“表面”をキーワードに若手研究者をターゲットとした総合的な研究会です．物理，化学，工学をバックグラウンドとした研究者が一同に集まることにより，分野横断型の学術的コミュニティーを形成し，分野間連携による様々な知識の共有と，物理現象に対する理解を深めることにより新たな課題解決方法や研究テーマの創出を目指します．
プログラム等の詳細は，https://sites.google.com/site/ysurfscisem/をご覧ください．皆様のご参加をお待ちしております．

21．実行体制

真空・表面科学合同講演会委員会

委員長 藤田大介（物材機構，日本表面科学会）
副委員長 道園真一郎（高エネ研，日本真空学会）
合同プログラム委員長 中村　健（産総研，日本真空学会）
合同プログラム副委員長 久保利隆（産総研，日本表面科学会）

日本表面科学会学術講演会委員会

委員長 藤田大介*（物材機構）
副委員長 久保利隆*（産総研），堀尾吉巳（大同大）
担当理事 吉信 淳（東京大）
委員 雨宮健太（高エネ研），荒船竜一（物材機構），板倉明子*（物材機構），加連明也（物材機構），久保 敦（筑波大），粉川良平（島津製作所），
小森文夫*（東京大），近藤剛弘（筑波大），近藤寛*（慶応大），重川秀実（筑波大），長谷川修司（東京大），長谷川哲也*（東京大），
長谷川幸雄*（東京大），平原 徹（東工大），野口秀典（物材機構），増田卓也（物材機構），松田 巌*（東京大），三井 正*（物材機構）
事務局 上村恵美子（日本表面科学会）

日本真空学会第56回真空に関する連合講演会実行委員会

委員長 道園真一郎*（高エネ研）
副委員長 間瀬一彦（高エネ研）
プログラム 中村 健*（産総研），中野武雄*（成蹊大），石川由加里（JFCC），井上泰志（千葉工大），上野啓司（埼玉大），橘内浩之（日立ハイテク），
近藤剛弘（筑波大），首藤健一（横国大），鈴木基史（京都大），高橋直樹（サムスン日本研），本田 融*（高エネ研），吉武道子（物材機構）
実行委員 石橋拓弥（高エネ研），近藤剛弘（筑波大），佐々木正洋*（筑波大），柴田 恭（高エネ研），末次祐介（高エネ研)，谷本育律（高エネ研），
土佐正弘*（物材機構），中村 恵（キヤノンアネルバ），松本益明（東京学芸大），山田洋一（筑波大），山本将博（高エネ研），
吉田 肇（産総研），吉田秀樹（テクノポート）
オブザーバー 笠井秀明（明石高専）
事務局 佐久間恵子（日本真空学会）
(*印付は合同プログラム委員)

主催・協賛・協力

主催

協賛（予定）

映像情報メディア学会，応用物理学会，化学工学会，原子衝突学会，触媒学会，低温工学・超電導学会，電気学会，電子情報通信学会，日本化学会，
日本加速器学会，日本機械学会，日本金属学会，日本顕微鏡学会，日本原子力学会，日本材料学会，日本質量分析学会，日本真空工業会，日本チタン協会，
日本鉄鋼協会，日本半導体製造装置協会，日本物理学会，日本分析化学会，日本放射光学会，表面技術協会，腐食防食協会，プラズマ・核融合学会

協力

一般社団法人　つくば観光コンベンション協会

 

申込方法

登壇資格

登壇者は日本真空学会の個人会員，学生会員，および法人会員に属する個人，日本表面科学会の正会員，学生会員，および賛助会員・維持会員の所属会社員に限ります．
これらに該当しない方で講演を希望される場合は，日本真空学会への入会手続きを行ってください．
講演申込は本ウェブページからの電子申込のみです． 以下の詳細な説明をご覧頂いた後，手順に従って必要事項を入力のうえお申し込みください．入力に際しては「入力に関する注意事項」をお読みください．(講演題目・発表者名・所属の英語標記での登録にもご協力ください。)

申込受付期間　2015年6月21日(日) 9:00 ～ 7月27日(月) 17:00 （WEB受け付け）（受付期間が延長されました．）

予稿原稿

予稿集原稿も電子投稿のみです．PDF形式のファイルによりご提出頂いた予稿集原稿を，A4判の予稿集として当日配布します．A4判の予稿集１頁に予稿２件を掲載します．基調講演の場合の予稿サイズはA4判（縦）の用紙１枚になります．本ウェブページの上にあるメニュー内の「予稿原稿」に予稿集原稿テンプレートおよび要綱を提示しますので，ご参照ください．

予稿受付期間　2015年9月1日(火)～9月24日(木) 17:00 （WEB受け付け）

講演申し込み入り口

コチラ(https://www.pasreg.jp/reg/top/vsj/author)より申し込み画面に入って下さい。

講演予稿集


講演予稿集はコチラ(https://www.jstage.jst.go.jp/browse/sssj2008/35/0/_contents/-char/ja/)

講演予稿集原稿の書き方

1．まえがき

PDF形式のファイルによりご提出頂いた予稿集原稿を，A4判の予稿集として当日配布します．この説明をよくお読みになった上で予稿集原稿を書いてください．また，本ウェブページに予稿集原稿作成用のテンプレートを提示しますので，あわせてご参照ください．投稿方法は，原則として電子ファイルによるWEB投稿のみとなりますのでご注意ください．

2．原稿の書き方

予稿集原稿は， Microsoft Word用のテンプレートを用いて作成してください．以下の点に注意してください．

サイズ：
A5判（横）の用紙１枚に，横書きで書いてください．A4判の予稿集１頁に予稿２件を掲載します．基調講演の場合の予稿サイズはA4判（縦）の用紙１枚になります．
余　白：
上下左右20mmの余白を取ってください．
講演番号：
第1行左端に12ポイントのフォントで書いてください．講演番号は８月末日までに電子メールにてお知らせいたします．
題　目：
第1行中央に12ポイントの太字のフォントで書いてください．
所属および著者名：
題目の下の中央部分に11ポイントのフォントで書いてください．登壇者氏名の前に○印を付けてください．
英語の題目：
所属および著者名の下の中央部分に10ポイントの太字のフォントで書いてください．
英語の所属と著者名：
英語の題目の下の中央部分に9ポイントのフォントで書いてください．登壇者氏名の前に○印を付けてください．
本　文：
本文は英語の所属と著者名から１行あけて10ポイントのフォントで書いてください．段組は１段組でも２段組でもかまいません．２段組の場合は，中央に8mm程度の余白を設けてください．
予稿原稿テンプレート：

3．図面および表

図表や写真は，直接挿入してください．

4．原稿の提出

PDF形式のファイル（ファイル名は「プログラム講演番号.pdf」としてください）に変換して， 本ホームページからアップロードしてください．原稿の作成にあたっては，この「講演予稿集原稿の書き方」を参照してください．PDFファイルを作成する際，フォントを埋め込んでください．

予稿受付期間　2015年9月1日(火)～9月24日(木) 17:00 （WEB受け付け）

5．その他

口頭発表，ポスター発表のいずれでも，予稿集原稿の書き方については同じです．
お問い合わせは「真空予稿原稿に関する問い合わせ」という件名でメールをofc-vsj@vacuum-jp.org 宛にお送りください．

予稿原稿アップロード入り口

コチラ(https://www.pasreg.jp/reg/top/vsj/author)よりアップロード画面に入って下さい。

連合講演会プロシーディングスの発行について

今回の連合講演会のプロシーディングスは，会誌「Journal of the Vacuum Society of Japan」Vol. 59 (2016)に掲載する予定です．真空に関する連合講演会の講演分野で講演された方々に，投稿をお勧めいたします．なお，表面科学会学術講演会で講演された場合は，「表面科学」誌かe-Journal of Surface Science and Nanotechnology へご投稿下さい（詳細はhttp://www.sssj.orgをご覧ください）．合同セッションで講演された場合は，会誌「Journal of the Vacuum Society of Japan」，「表面科学」誌，e-Journal of Surface Science and Nanotechnologyのいずれかを選択してご投稿ください．

  1. プロシーディングス掲載の論文は，「速報」（口頭発表，ポスター発表に対応，真空科学・技術・応用に関連する分野の新しい現象，工夫，考案など，速報的内容を持つ原著報告）とします．英文アブストラクト，本文，図表を含めて刷上りA4判3頁以内を原則とします．用語は日本語（英語も可）としますが，英語の表題・著者名・所属研究機関名をつけてください．
  2. シンポジウム講演および特別講演に関しましては，「解説」（刷上り A4判8頁以内）の投稿も受け付けます．
  3. プロシーディングス原稿は2015年11月30 日（月）までに電子投稿してください．
  4. 投稿案内は日本真空学会ウェブページ(http://www.vacuum-jp.org/)の“和文機関誌『Journal of the Vacuum Society of Japan』”に掲載されています．投稿規程，投稿の手引きをよくお読みいただき，原稿テンプレートを用いて原稿を作成してください． チェックリストのご記入，アップロードもお願いします．
  5. keywordsを３つ以上指定した後，最後の”keyword”としてプログラム講演番号をご記入ください．
  6. 投稿された原稿は，専門家に査読を依頼して，その評価結果に基づき，編集委員会で掲載の可否を決定します．投稿時に査読者候補の推薦をお願いします．
  7. 「Journal of the Vacuum Society of Japan」誌 Vol. 59 (2016) の4号，5号に連合講演会論文集として掲載する予定です．

ポスターに発表の方も，予稿集およびプロシーディングスについては口頭発表と同じに取り扱います．

発表要領

講演番号について

IDnumber
  • 口頭講演の場合，原則として15分を1コマとして番号を順番に振っています．また6番目と7番目のコマの間に15分の休憩があります．上記の例ですと，12月2日午後にB会場で8コマ目の講演となります．（なお一般講演は1コマ，招待講演・特別講演・シンポジウム講演は2コマ分となります．）したがって，同じ「順番」ならば講演開始時刻は同一時刻となります．
  • 口頭講演のうち12月2 日午前の基調講演と受賞講演および同日午後の合同国際シンポジウム講演は，この講演番号の「順番」のルールに従いませんのでご注意ください．「順番」に相当する番号も，上記ルールに従わないことを示すために1桁の番号で記載してあります．
  • 順番の後に次の記号が付記されている場合は，下記の審査対象講演です．
    Y ：表面科学会講演奨励賞（若手研究者部門）審査対象講演
    R ：表面科学会講演奨励賞（新進研究者部門）審査対象講演
    S ：表面科学会講演奨励賞（スチューデント部門）審査対象講演
    V ：真空学会優秀ポスター賞選考対象ポスター発表

口答発表

一般講演時間，招待講演/特別講演/依頼講演時間，基調講演時間は，それぞれ15分，30分，45分（討論時間5分を含む）です．講演時に使用可能な機材は液晶プロジェクタのみです．ノートパソコンは各自でご持参ください．発表前の休憩時間までに必ず接続確認を行ってください．

ポスター発表

ポスター展示時間は下の表の通りです．講演番号の偶奇により，割り当てられたコアタイムにはポスターの前で説明をしていただきますが，割り当てられたコアタイム以外でも，可能な限り説明をお願いします．なお，表面科学講演奨励賞応募者にはコアタイムは適用されません．ポスターセッションの2時間にわたってポスターの前での説明と討論が必要です．真空優秀ポスター賞選考対象者も同様です．パネルのスペースは縦2,055 mm×横855 mmですが，ポスターは縦1,200 mm以内×横855 mm以内を推奨します．パネル左上に縦10 cm×横20 cmの余白をとってください．余白に事務局で発表番号を貼ります．表面科学講演奨励賞応募者でスチューデントの場合はポスター番号の最後がS，若手の場合はY，新進の場合はRとなっています．真空優秀ポスター賞選考対象者はポスター番号の最後がV となっています．ポスター貼り付けには押しピンのみ使用可能です．押しピンは会場にて準備いたします．ポスターセッション終了後，下記指定の時間中にポスターの撤収をお願いします．

【ポスター発表時間】
12月1日（火） 12月2日（水）
展示開始 9:00-12:00 9:00-12:00
コアタイム（奇数の講演番号） 13:30-14:30 13:30-14:30
コアタイム（偶数の講演番号） 14:30-15:30 14:30-15:30
撤収 15:30-21:00 15:30-17:30

 


スクールコース：「表面科学研究のための超高真空技術」（日本真空学会主催）

超高真空下での表面科学研究を行なうには，その目的に最適化した超高真空装置を製作することが望まれます．しかしながら予算等の制限により，新しい装置の製作や既存の装置の改良を自分で行なう必要に迫られることも少なくありません．そこで本スクールコースでは，表面研究のための超高真空装置を製作，改良する上で必要な知識とノウハウを，実例に基づき丁寧に説明します．今年4月に真空・表面科学関連分野の研究室，メーカーに配属されたばかりの方，装置製作，装置改良の技術をさらに磨きたいと考えておられる方は是非受講ください．

12月3日（木）14:45～16:15，G会場・2階中会議室202B
参加費：（受付にて現金払い）
合同講演会参加者（真空・表面学会正会員・法人会員）
合同講演会参加者（非会員，一般）
合同講演会参加者（学生）
合同講演会非参加者（真空・表面学会正会員・法人会員）
合同講演会非参加者（非会員，一般）
合同講演会非参加者（非会員，学生）
合同講演会非参加者（真空・表面学会学生会員）		 2,000円
3,000円
0円
5,000円
10,000円
5,000円
0円
内容：
1. 超高真空技術の基礎
2. 超高真空材料
3. 真空ポンプと真空計
4. 超高真空装置製作技術
5. 試料マニピュレーター，試料ホルダー
6. 蒸着源など
7. 安全，環境保全，省エネルギー
定員：
50名（先着順）
申込方法：
こちらの申し込みページからお申込みください．
お申込み完了後，受付完了メールが自動返信されます．
受付完了メールが届かない場合は，事務局までご連絡ください．

「第56回真空に関する連合講演会」におけるオーガナイズドセッションの公募について

日本真空学会　講演・研究会企画委員会

日本真空学会では，会員の関心のある特定分野の研究成果に関わる学術的な議論をより活性化し，学術情報の交換と新たな知識の創造の場としての学会機能を強化する方策を検討しております．その一環として本年の「第56回真空に関する連合講演会」では，一般セッションと平行して会員の皆様方のより直接的な提案に基づく「オーガナイズドセッション」を試行的に開催します．積極的なご提案をお待ちいたします．なお本件は，講演・研究会企画委員会が連合講演会プログラム委員会の協力の下で行います．

1.オーガナイズドセッションの形式：
  1. シンポジウム型：一つのテーマの下における5～6件の依頼講演によるリレー式講演により，同一テーマの議論を深める形式．
  2. 貸切セッション型：一つのテーマの下における1，2件の特別講演およびその他の一般講演により，同一テーマの議論を深める形式．
  3. その他：上記IまたはII以外の形式．(パネルディスカッション，技術報告会など)
(注)　いずれの場合も，長くて午前または午後の半日程度とします．
2.オーガナイズドセッションの提案方式：
  1. テーマ提案型：オーガナイズドセッションの提案者はテーマとその趣旨説明を提案し，採択の後に講演・研究会企画委員会がそのテーマと趣旨の下でプログラムを具体化した上で，連合講演会プログラム委員会に提案する．
  2. セット提案型：オーガナイズドセッションの提案者がテーマとその趣旨説明を提案した上で，採択の後に提案者自らがオーガナイザとして具体的な講演者の依頼，一般講演の投稿募集，プログラム編成などを行った上で，その結果を講演・研究会企画委員会が連合講演会プログラム委員会に提案する．
Iについては，AおよびBのいずれも受け付けます．
IIおよびIIIについては，Bのみ受け付けます．
3.提案するテーマおよびその分野：会員等の関心が高いと判断されれば，特に問いません．
4.提案資格者：
  1. 日本真空学会個人会員，学生会員，法人会員，法人会員に所属する個人
  2. 日本真空学会の委員会・部会・支部
  3. 日本真空工業会
5.提案締切：2015年6月3日(水) 17:00
6.提案書提出先：下記の「オーガナイズドセッション提案書の書き方」に沿った提案書を，メール添付で日本真空学会事務局<ofc-vsj@vacuum-jp.org> へ提出．
7.審査：講演・研究会企画委員長により指名される審査委員によって行われ，審査の結果は会誌および学会ウェブサイトで公表いたします．
8.採択予定件数：1件（予定）

オーガナイズドセッション提案書の書き方

1.原稿の書き方

A4用紙１～２枚程度の分量(形式は自由)に，以下を含む内容を箇条書きにしてわかりやすく記載してください．

  1. タイトル　(テーマを明確に表すもの)
  2. 提案者：氏名，会員番号(個人会員等の場合)，所属，連絡先(e-mail)，等．(複数提案者の場合には代表提案者（社）に○を付す)
  3. 提案するオーガナイズドセッションの形式：(I.II.III.のいずれかを選択)　I.シンポジウム型　II.貸切セッション型　III.その他(パネルディスカッションや技術報告会など，具体的に記載すること)
  4. 提案するオーガナイズドセッションの提案方式：(AまたはBのいずれかを選択) A.テーマ提案型，B.セット提案型
  5. 提案の趣旨説明(1,000字以内)：テーマの新規性・重要性・波及性・真空に関する科学技術との関連性などのアピールポイントを含めて記載してください．
  6. 想定される講演者名とその所属および講演題目
  7. その他

2.提案書の送付

作成した提案書をPDF形式のファイル(ファイル名は「OS_代表提案者(社)名.pdf」としてください)に変換して，E-mail添付にて，日本真空学会事務局<ofc-vsj@vacuum-jp.org> まで送付してください．

【メールの件名】
オーガナイズドセッションの提案（代表者（社）名）
（注）「代表者（社）名」のところには実際の代表者（社）名を入力してください．
【送付先メールアドレス】
ofc-vsj@vacuum-jp.org
【提出締切】
2015年6月3日(水) 17:00

「第56回真空に関する連合講演会」におけるオーガナイズドセッションの提案採択について

日本真空学会　講演・研究会企画委員会

日本真空学会では，会員の関心のある特定分野の研究成果に関わる学術的な議論をより活性化し，学術情報の交換と新たな知識の創造の場としての学会機能を強化するため，本年(2015年)12月1日～3日に開催される「第56回真空に関する連合講演会」において会員の直接的な提案に基づく「オーガナイズドセッション」を開催します．そのため6月3日(水)締切にて皆様からのご提案を募り，審査の上で下記提案の採択を決定しましたのでご報告いたします．なお本件の開催には，講演・研究会企画委員会が連合講演会プログラム委員会の協力の下で行います．

記
1.タイトル
限界に挑む真空ナノエレクトロニクスの現状と展望
2.提案者
後藤　康仁 （日本真空学会個人会員）
3.提案するオーガナイズドセッションの形式
貸切セッション型
4.提案するオーガナイズドセッションの提案方式
セット提案型

※本セッションに対する一般講演の申込は「第56回真空に関する連合講演会」の一般講演申込に合わせて行いますので，講演希望者は申込期間(2015年6月21日～7月27日)中に連合講演会ホームページよりお申込ください．

以上
オーガナイザからのメッセージ：
今回のオーガナイズドセッションでは、超高周波や超高感度、超高輝度、高温・低温電子デバイスなど素子の限界に挑む真空ナノエレクトロニクスの研究開発に関する数件の特別講演をお願いし、真空ナノエレクトロニクス全般に関連する一般論文と併せて当該分野の現状と展望について議論する予定です。デバイス開発に限らず、基礎的な話題も含めて広くご講演を募集します。
(後藤 康仁)
（参考）

1.オーガナイズドセッションの形式：
  1. シンポジウム型：一つのテーマの下における5～6件の依頼講演によるリレー式講演により，同一テーマの議論を深める形式．
  2. 貸切セッション型：一つのテーマの下における1，2件の特別講演およびその他の一般講演により，同一テーマの議論を深める形式．
  3. その他：上記IまたはII以外の形式．(パネルディスカッション，技術報告会など)
2.オーガナイズドセッションの提案方式：
  1. テーマ提案型：オーガナイズドセッションの提案者はテーマとその趣旨説明を提案し，採択の後に講演・研究会企画委員会がそのテーマと趣旨の下でプログラムを具体化した上で，連合講演会プログラム委員会に提案する．
  2. セット提案型：オーガナイズドセッションの提案者がテーマとその趣旨説明を提案した上で，採択の後に提案者自らがオーガナイザとして具体的な講演者の依頼，一般講演の投稿募集，プログラム編成などを行った上で，その結果を講演・研究会企画委員会が連合講演会プログラム委員会に提案する．

 

「第56回真空に関する連合講演会」における優秀ポスター賞について

日本真空学会　講演・研究会企画委員会

「第56回真空に関する連合講演会」が，2015年12月1日（火）～ 12月3日（木）の3日間，日本表面科学会の第35回表面科学学術講演会との合同講演会（2015年真空・表面科学合同講演会）として，つくば国際会議場（茨城県つくば市竹園2丁目20-3）で開催されます．日本真空学会講演・研究会企画委員会は，日本真空学会のポスターセッションにおける発表の中から，次の方法で優秀ポスター賞を選出し表彰します．

  1. 優秀ポスター賞の表彰は，日本真空学会講演・研究会企画委員会として行います．
  2. 優秀ポスター賞の選出方法は，次のとおりです．
    • 第56回真空に関する連合講演会（2015年真空・表面科学合同講演会の日本真空学会セッション）のポスター投稿のうち，登壇資格(日本真空学会の個人会員，学生会員および法人会員に属する個人であること)を有する筆頭発表者が2015年4月1日時点で40歳未満であり，優秀ポスター賞の審査に応募した発表を表彰審査の対象にします．
    • 日本真空学会講演・研究会企画委員会の定めた審査委員の審査により優秀ポスター賞を選出します．
    • 講演会当日の発表だけでなく，予稿の内容も含めて審査します．
    • 優秀ポスター賞の審査に応募しても，当日筆頭発表者が発表を行わなかった場合は審査の対象とはなりません．
  3. 優秀ポスター賞に選ばれた発表者には表彰状を授与するとともに，発表題名と発表者を「Journal of the Vacuum Society of Japan」誌に発表します．

 

合同国際シンポジウム2015 ～先端ナノ計測の最近の進展～
2015 International Joint Symposium on Recent Progress of Advanced Nanocharacterization
（同時開催）2015年真空・表面科学合同講演会 (SSVS 2015)

日時:
2015年12月2日（水）13：25～18：35
会場:
つくば国際会議場　中会議室201　（茨城県つくば市竹園2丁目20-3）
招待講演者と講演題目:
New Insights into Friction and Wear through In-Situ Nanotribology
Robert W. Carpick (Univ. Pennsylvania, USA)
Control of Kondo Effect of Individual Magnetic Atom/Molecule on Surfaces
Haiming Guo (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
Nano- Plasmonics: from Single-Molecule Chemistry to Structures of Low-Dimensional Materials
Zee Hwan Kim (Seoul National Univ., Korea)
Precise Growth Control of Oxide Polar Films
Jiandong Guo (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, China)
Chiral Edge States of One-Dimensional Topological Insulators
Tae-Hwan Kim (Pohang Univ. Sci. Technol., Korea)
Adsorption and Ordering of Nitrogen and Oxygen Molecules at the HOPG/Water Interface
Ing-Shou Hwang (Inst. Physics, Academia Sinica, Taiwan)
In-Situ Observation of Pd Surfaces under Hydrogen Pressure
吉信 淳（東京大学）
Soft X-ray Spectromicroscopy for Surface Nanocharacterization
Chia-Hao Chen (National Synchrotron Radiation Res. Center, Taiwan)
Development of High Brightness and High Spin-Polarized Low Energy Electron Microscopy and Application to Spintronics Magnetic Thin Film Materials
越川孝範（大阪電気通信大学）
座長：長谷川修司（東京大学）小森文夫（東京大学）福谷克之（東京大学）
共催：
韓国真空学会（KVS）
（4th KVS-VSJ-SSSJ Joint Symposiumとしての開催）
協賛：
米国真空学会（AVS）
（AVS Endorsed Topical Conferenceとしての開催）		 AVS_logo
協力：
中国真空学会（CVS），台湾真空学会（TVS）
（プログラム編成への協力）

 


お問い合わせ

一般社団法人　日本真空学会　事務局
URL: http://www.vacuum-jp.org
e-mail: ofc-vsj@vacuum-jp.org
TEL：03-3431-4395
FAX：03-3433-5371
〒105-0011　東京都港区芝公園 3-5-8　機械振興会館 306号室

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