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スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会 第12回技術交流会・第146回定例研究会
2015年12月8日 @ 13:00 - 18:30
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)
第12回技術交流会 ・ 第146回定例研究会
SP部会では,会員相互の技術情報交換の場を提供するために,技術交流会を企画しています.毎回ご好評をいただいており,今年で12回目となります.ショートプレゼンテーションとポスター発表をあわせた形とし,かつポスターセッションは懇親を兼ねる形といたします.通常の定例研究会では,会員相互が情報を交換する機会がなかなかなく,せっかく同じ部会に所属していることのメリットを十分に活かせておりませんでした.この技術交流会を機会に是非会員相互で有益な技術情報を交換していただき,会員各社のさらなる技術的発展につながればと考えております.また,ショートプレゼンテーションに先立って,第146回定例研究会として3件の技術講演を企画しております.スパッタリングに関する内容から,薄膜の車両応用,ナノヘテロ相分離膜成長について大学・企業から最先端の成果を講演して頂きます.
部会員以外の方の参加も歓迎いたします.皆様の奮ってのご参加をお待ちしております.
日 時:平成27年12月8日(火) 13:00~18:30
場 所:機械振興会館 地下2階 B2-1号室
東京都港区芝公園3-5-8 (東京タワー前) 交通アクセス
-プログラム-
定例研究会
(1)プラズマを用いた低エネルギーイオン照射によるY2O3セラミックスのスパッタリング量の測定
後藤哲也 東北大学未来科学技術共同研究センター 13:00~13:40
(2)ETP-CVD法による車両用プラスチックグレージング技術
○太田淳*,横山礼寛*,加藤恭平,橋本雄介,桃野健
株式会社アルバック 超材料研究所* FPD・PV事業部 13:40~14:20
― 休憩 ―
(3)自己組織化を利用したZnO-NiOナノヘテロ相分離膜のエピタキシャル成長
○中川原修1),服部梓2),村山浩二1),田中伸彦1),田中秀和2)
1) 株式会社村田製作所,2) 大阪大学 産業科学研究所 14:30~15:10
― 休憩 ―
技術交流会
(4) ショートプレゼンテーション(5分程度×14件) 15:20~16:40
(5)ポスターセッション 16:50~18:30
① LaFeO3/SrTiO3ヘテロ界面の電荷移動に伴う新規電子物性探索 近畿大学 生物理工学部 西川博昭
② 医療インプラントの有機成膜に最適なパルス電源の開発 東京電子(株) 黒岩雅英
③ 3次元PIC/MC法による矩形スパッタカソードのシミュレーション (株)昭和真空 矢部裕
④ 反応性スパッタ法による酸化膜堆積における高周波基板バイアスの効果 -相転移VO2薄膜の物性制御-
東海大学 ヌルーハニス アズハン
⑤ 「堀越モデル」による真空中の水の振る舞い 東京理科大学(非常勤) 岡田修
⑥ 高周波マグネトロンスパッタ法により作製したタングステン薄膜の結晶配向性の基板位置依存性
京都大学 後藤康仁
⑦ Development of a photoemission-assisted ion source for atomic-level surface smoothing 東北大学 阿加賽見
⑧ (Zn1-xNix)O混合体のバルク相分離構造解析及びエピタキシャル相分離薄膜成長 大阪大学産業科学研究所 李明宇
⑨ RASバイアス成膜 (株)シンクロン 佐守真悟
⑩ 非蒸発ゲッタポンプ用合金のスパッタ製膜 成蹊大学 三嶋東
⑪ 反応性スパッタにおけるモード遷移現象のユニバーサリティ 成蹊大学 木村光祐
⑫ 大電力パルススパッタを用いた Mo 錐状陰極構造の作製 成蹊大学 成田智基
⑬ 高周波支援パルススパッタリングおける基板入射イオン数の増加機構 金沢工業大学 草野 英二
⑭ 大気圧プラズマの農業応用 大亜真空(株) 冨江崇
(代表者のみ記載)
参加費:当日受付にてお支払いください.
1.SP部会員 |
無料 |
2.日本真空学会個人会員 |
¥23,000 |
3.日本真空学会法人会員 |
¥18,000 |
4.教育機関,公的機関に属する者 |
¥12,000 |
5.学生 |
¥5,000 |
6.一般 |
¥28,000 |
7.ポスター発表者 |
無料 |
申込方法:申込みは終了しました.
問合せ先:一般社団法人 日本真空学会 TEL:03-3431-4395,FAX:03-3433-5371
E-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org
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