スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
平成28年度第1回勉強会
「～数100eVのエネルギーを持った入射粒子とターゲットあるいは基板・薄膜との相互作用を理解する」
一般社団法人日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会では，論文紹介や研究紹介により1つのテーマをラウンドテーブル方式で議論し，そのテーマを深く掘り下げて勉強していこうという主旨のもとSP部会勉強会を開催しております．
第5回（平成28年度第1回）の勉強会を，「～数100eV程度のエネルギーを持つ入射粒子とターゲットあるいは基板・薄膜との相互作用を理解する．」をテーマとして開催いたします．言うまでもなくスパッタリング薄膜堆積法は数100eV程度のエネルギーを持った粒子のターゲットへの入射によるスパッタリング現象にもとづくものであり，また，同時に基板あるいは基材上における薄膜堆積においても～100eV程度のエネルギーを持った粒子の入射による薄膜構造の緻密化，さらには再スパッタリングによる薄膜粒子の気相への再放出が起こっております．これらのエネルギーを持った入射粒子とターゲットあるいは薄膜との相互作用の理解が，スパッタリング薄膜堆積プロセス，さらには薄膜構造の粗密，薄膜組成ずれなどの現象の理解に必要です．しかしながら，多くの場合入射粒子と表面の相互作用の議論の対象として扱われる粒子のエネルギーの範囲は数keVと，薄膜堆積手法としてのスパッタリング法および薄膜構造修飾の対象となるエネルギー範囲より高くなっております．
本勉強会においては，特に～数100eV程度のエネルギーを持つ粒子の入射によるスパッタリング現象におけるスパッタリング率およびスパッタリング粒子の持つエネルギー分布を学んでいくとともに，基板・薄膜側における現象として同様に～数100eVの低エネルギーを持つ入射粒子と基板・薄膜との相互作用による薄膜構造の緻密化，それにともなう応力や物性変化，さらには再スパッタリングによる組成のずれについても議論し，スパッタリング薄膜堆積法の効率化，安定化，さらには薄膜構造や組成制御への工学的実践に向けての理解を深めていきます．
日 時： 2016年11月11日（金） 14:00～17:00（受付13:30～）
14:00～16:00 ラウンドテーブル勉強会
16:00～17:00 懇親会・自由討議
場 所： 金沢工業大学東京事務所会議室（東京都港区虎ノ門3-17-1 TOKYU REIT 虎ノ門ビル6階）
交通アクセス
話題提供・コーディネーター： 金沢工業大学高度材料科学研究開発センター 教授 草野 英二
参加費： 当日会場にてお支払いください．（資料代・消費税を含む）
スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員 無料
日本真空学会・日本真空工業会会員 3,000円
一般 5,000円
学生 1,000円
申込方法：申込みは終了しました．
問合せ先： 一般社団法人日本真空学会 TEL：03-3431-4395 FAX：03-3433-5371
E-mail：ofc-vsj＠vacuum-jp.org
勉強会概要：
■ スパッタリング現象とは？
■ スパッタリング率を決める要因は？
■ スパッタリング粒子のエネルギーを決める要因は？
■ 薄膜とエネルギー粒子の相互作用とは？
■ スパッタリング法における組成ずれの原因は？
主な紹介予定テキスト・文献：
1. R. Behrisch, Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single-Element Solids （Topics in Applied Physics 47）, Springer, 1981.
2. R. Behrisch, Sputtering by Particle Bombardment II: Sputtering of Alloys and Compounds, Electron and Neutron Sputtering,Surface Topography （Topics in Applied Physics 52）, Springer, 1983.
3. R. Behrisch, K.Wittmaack, Sputtering by Particle Bombardment III: Characteristics of Sputtered Particles, Technical Applications（Topics in Applied Physics 64）, Springer, 1991.
4. R. Behrisch, W. Eckstein, Editors, Sputtering by particle bombardment: experiments and computer calculations from threshold to MeV energies （Topics in Applied Physics 110）, Springer, 2007.
5. N. Laegreid, G. K. Wehner, Sputtering yields of metals for Ar＋ and Ne＋ ions with energies from 50 to 600 eV, J. Appl.Phys. 32, 365, 1961.
6. J. J. Cuomo, R. J. Gambino, J. M. E. Harper, J. D. Kuptsis, and J. C.Webber, Signicance of negative ion formation in sputtering and SIMS analysis, J.Vac. Sci. Technol.15, 281, 1978.
7. C. Garcáƒa-Rosales, W.Eckstein, J. Roth, Revised formulae for sputtering data, J. Nucl. Mater, 218, 8, 1995.
8. C. Zalm, Quantitative sputtering, Surface and Interface Analysis, 11, 1, 1988.
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