日本真空学会　2016年12月研究例会
主題　「真空中での原子層成長：ALD技術の最近の進歩」

　ALD（Atomic Layer Deposition）技術は，極めて薄い膜作製や薄膜のナノ構造制御が可能なため，既に半導体や薄膜デバイスへの応用が展開されています．また自己組織的な表面化学反応プロセスにより単層もしくは準単層膜厚の成長を高精度に制御することが可能なため，電子技術，マイクロシステム，ディスプレイ，エネルギー貯蔵，バイオメディカルなど幅広い分野への応用も高く期待されております．そこで日本真空学会ではALD技術について，応用研究の現状と今後の展開に関する知見を関連研究や製造機器開発の第一人者の先生方からご講演いただき，制御技術や技術課題等についての情報獲得や議論の場を設けることを意図して，本研究例会を企画いたしました．主題を支える薄膜技術と，その基盤となる真空技術に関心を持たれる多くの皆様方のご参加をお待ちしております．

日　時：　2016年12月14日（水）　13:00～17:00　（受付12:30～）

会　場：　機械振興会館　地下3階B3-1号室　地下2階B2-1号室　※会場が変更になりました．
　　　　　　東京都港区芝公園3-5-8　交通アクセス

協　賛：　日本真空工業会，（公社）日本表面科学会，（公社）化学工学会CVD反応分科会，
　　　　　　（公社）応用物理学会薄膜・表面物理分科会

講演プログラム　＜各講演25〜40分（質疑応答時間含）＞
開会の挨拶　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（日本真空学会講演・研究会企画委員会委員長）　中村　健　13:00～13:05

1. ALD/ALEプロセスの速度論的特徴と応用展開　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（東大院工）　霜垣　幸浩　13:05～13:45

2. ALD-Al₂O₃を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMT　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （富士通研）　尾崎　史朗　13:45～14:25

3. プラズマ励起ALDの超伝導加速空洞への応用　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（KEK）　加藤　茂樹　14:25～15:05

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　休憩　（15:05～15:15）

4. ALDの動向 − 技術とアプリケーション　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ALDジャパン）　百瀬　渉　15:15～15:40

5. ALD用原料ガスの開発　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　（気相成長）　町田　英明　15:40～16:05

6. Plasma-enhanced ALDによる低温SiO₂膜の成膜メカニズム　　　（日本エー・エス・エム）　小林　明子　16:05～16:30

7. ALD装置の高機能化　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 （オックスフォード・インストゥルメンツ）　田口　俊彰　16:30～16:55

閉会の挨拶 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（日本真空学会講演・研究会企画委員会委員）　土佐　正弘　16:55～17:00

申込方法：　申込みは終了しました．参加ご希望の方は問合せ先までお問い合わせください．

問合せ先：　日本真空学会　　TEL：03-3431-4395　　FAX：03-3433-5371
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　E-mail：ofc-vsj@vacuum-jp.org
　　　　　　　　
本件担当：　一般社団法人 日本真空学会 講演・研究会企画委員会
　　　　　　　　（埼玉大）上野啓司，（富士通研）鈴木 僚，（NIMS）土佐正弘