スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第14回技術交流会・第156回定例研究会
SP部会では，会員相互の技術情報交換の場を提供するために，技術交流会を企画しています．毎回ご好評をいただいており，今年で14回目となります．ショートプレゼンテーションとポスター発表をあわせた形とし，かつポスターセッションは懇親を兼ねる形といたします．通常の定例研究会では，会員相互が情報を交換する機会が限定され，せっかく同じ部会に所属していることのメリットを十分に活かせておりませんでした．この技術交流会を機会に是非会員相互で有益な技術情報を交換していただき，会員各社のさらなる技術的発展につながればと考えております．また，ショートプレゼンテーションに先立って，第156回定例研究会として，先日開催されたISSP2017でポスター賞を受賞された2件の技術講演を含む3件のご講演を企画しております．部会員以外の方の参加も歓迎いたします．皆様の奮ってのご参加をお待ちしております．
- 日 時
- 2017年12月14日（木） 13:00～18:30
- 場 所
- 機械振興会館 6階 6-66号室 （東京都港区芝公園3-5-8） 交通アクセス
プログラム
定例研究会
ISSP2017 Poster Award 受賞記念講演（2件，講演は日本語）
（1）13:00～13:20
Effect of gaseous impurity level of sputtering target on the piezoelectric property of Al-Sc-N thin film
○Yasushi Morii，Yuichiro Nakamura，Takeo Okabe，Yoshimasa Koido，Hideyuki Takahashi
JX Nippon Mining & Metals Corporation，Japan
（2）13:20～13:40
Growth of VO2 thin films on transparent conductive Al-doped ZnO films on glass substrates
○Hiroaki Hoshino1），Kenta Sato1），Md.Suruz Mian1），Yoshio Yasumori2），Kunio Okimura1）
1）School of Engineering,Tokai University,Japan，2）Tokai Univ.Ctr.Educ.Res.Dev.,Japan
（3）13:40～14:20
新しいワイドギャップp型酸化物半導体産業技術総合研究所 電子光技術研究部門 菊地直人
―休 憩―
技術交流会
（4）14:40～16:40 ショートプレゼンテーション （12件）
（5）17:00～18:30 ポスターセッション （13件）
①反応性スパッタリングにおける反応性ガス消費の時間変化
金沢工業大学高度材料科学研究開発センター 草野英二
②新規p型ワイドギャップ酸化物Sn2M2O7（M=Nb,Ta）の作製とキャリア生成機構
1)産業技術総合研究所，2)東京理科大学 ○三溝朱音2)，菊地直人1)，相浦義弘1)，西尾圭史2)
③複合成膜による低屈折率MgF2光学薄膜の作製1)東海大学大学院工学研究科，2)(株)シンクロン ○都野義樹1)，室谷裕志1)，松本繁治2)
④金属酸化物表面に対するアミノ酸吸着1)近畿大学大学院生物理工学研究科，2)近畿大学生物理工学部 齋藤絢香1)，○西川博昭2)
⑤ワイドギャップp型Sn2Nb2O7における構造欠陥
1)東京理科大学，2)産業技術総合研究所 ○永田晋哉1)，三溝朱音1)，菊地直人2)，相浦義弘2)，西尾圭史1)
⑥非蒸発ゲッタポンプ用合金膜における熱活性化過程のXPS評価
1)成蹊大学，2)高エネルギー加速器研究機構
○三嶋 東1)，出家広大1)，大家 渓1)，中野武雄1)，菊地貴司1)，間瀬一彦2)
⑦HPPMSを用いたSpindt型エミッタの作製におけるキャビティの穴径依存性
1)成蹊大学，2)産業技術総合研究所
○谷口日向1)，中野武雄1)，大家 渓1)，長尾昌善2)，大崎 壽2)，村上勝久2)
⑧反応性スパッタで作製した酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミック特性におけるAr全圧の影響成蹊大学 ○飯嶋佑斗，坪田祐貴，大家 渓，中野武雄
⑨反応性スパッタで製膜したチタン酸化物薄膜の結晶構造制御
1)成蹊大学，2)東海大学 ○竹内将人1)，吉澤慶祐1)，細谷和輝2)，大家 渓1)，2)，岩森 暁2)，中野武雄1)
⑩耐放射線FEA撮像素子の開発（II）～放射線照射下におけるFEAの動作特性～
1)京都大学，2)産業技術総合研究所，3)静岡大学，4)木更津工業高等専門学校，5)大阪府立大学
○後藤康仁1)，森藤瑛之1)，長尾昌善2)，増澤智昭3)，根尾陽一郎3)，三村秀典3)，
岡本 保4)，猪狩朋也4)，秋吉優史5)，佐藤信浩1)，高木郁二1)
⑪スパッタリングにより形成した遷移金属窒化物薄膜のアトムプローブ分析京都大学大学院工学研究科 ○後藤康仁，西村知紗，辻 博司
⑫HiPIMS法を用いたDLC成膜における反応性ガスによる放電特性への影響
1)東京電子(株)，2)岡山理科大学 ○黒岩雅英1)，岡野忠之1)，中谷達行2)，福江紘幸2)
⑬導波路型テラヘルツ分光法による超薄膜の計測1)大阪大学レーザー科学研究所，2)Rice University
Manjakavahoaka Razanoelina1)，○川山 巌1)，大橋昇平1)，Filchito R. Bagsican1)，河野淳一郎2)，
Robert Vajtai2)，Pulickel M. Ajayan2)，村上博成1)，斗内政吉1)
- 参加費 ※当日受付にてお支払いください．
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| 1.SP部会員 |
無 料 |
| 2.日本真空学会個人会員 |
23,000円 |
| 3.日本真空学会法人会員 |
18,000円 |
| 4.教育機関，公的機関に属する者 |
12,000円 |
| 5.学生 |
5,000円 |
| 6.一般 |
28,000円 |
| 7.ポスター発表者 |
無 料 |
- 申込方法
- 申込みは終了しました．
- 問合せ先
- 一般社団法人日本真空学会 事務局
TEL： 03-3431-4395 FAX： 03-3433-5371 E-mail： ofc-vsj＠vacuum-jp.org
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