日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第152回定例研究会
テーマ：「半導体プロセス技術の最前線」

　微細化の限界に近づいている半導体産業では，微細化の追求に加え，デバイスの3Ｄ化の方向へ活路を見出しております．これらの製造技術にはプラズマを応用したプロセス技術が多用されており，その最新動向に触れる機会を提供することは，半導体以外の分野で活躍される皆様にも有益な情報となると考えます．
　本研究会ではこれらに関する最新技術の動向を，大学，研究機関及びメーカーから最前線で活躍中の講師をお招きして講演していただきます．本研究会に多数の方が参加され，スパッタリングおよびプラズマプロセス分野の更なる発展，製品化につながる知見が得られることを期待します．多くの皆様のご参加を心よりお待ち申し上げます．

日　時：　2017年3月8日（水）　13:00～16:50 （受付12:30～）

場　所：　機械振興会館　地下3階B3-2号室　（東京都港区芝公園3-5-8）　交通アクセス

講演プログラム：
　「10nmノード以降対応のアトミックレイヤープロセス」　　　　　　　　　　 （ラムリサーチ株式会社）　野尻 一男　13:10～13:50

　「有機金属気相成長によるIII-V族化合物半導体ナノエピタキシャル構造の形成と高効率太陽電池への応用」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（東京大学工学系研究科）　杉山 正和　13:50～14:30

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　－休憩－　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　14:30～14:50

　「Si₃N₄膜の等方性ALEt技術」　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　（株式会社日立製作所）　小林 浩之　14:50～15:30

　「半導体MEMSプロセス技術によるオプトバイオセンサデバイス」　　　　　（豊橋技術科学大学）　高橋 一浩　15:30～16:10

　「ミニマルだから初めてできた高品位垂直エッチング技術」　　　　 　 　 （産業技術総合研究所）　田中 宏幸　16:10～16:50

参加費：　当日受付にてお支払いください．
　　　　　　 SP部会会員　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 無料
　　　　　　 日本真空学会正会員　　　　　　　　　　　　23,000円
　　　　　　 日本真空学会法人会員　　　　　　　　　　 18,000円
　　　　　　 教育機関，公的機関に属する者　　　　　　12,000円
　　　　　　 学生　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　5,000円
　　　　　　 一般　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　28,000円

申込方法：　申込みは終了しました．

問合せ先：　一般社団法人日本真空学会　TEL：03-3431-4395　FAX：03-3433-5371
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 E-mail：ofc-vsj＠vacuum-jp.org