スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
平成30年度第1回勉強会
「スパッタリング法により堆積された薄膜のマクロ・ミクロ構造～Thorntonモデル再訪～」

　公益社団法人日本表面真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会では，論文紹介や研究紹介により1つのテーマをラウンドテーブル方式でスパッタリング技術にかんするテーマを議論し，そのテーマを深く掘り下げて勉強していこうという主旨のもとＳＰ部会勉強会を開催しております．
　第7回（平成30年度第1回）の勉強会を「スパッタリング法により堆積されたマクロ・ミクロ薄膜の構造～Thorntonモデル再訪～」をテーマとして開催いたします．スパッタリング法による薄膜堆積においては，放電圧力および基板温度に大きく依存するマクロな薄膜構造が形成されます．この構造をモデル化して表したものがThorntonモデルと呼ばれる薄膜構造を表したモデルです．モデルは1974年に提唱され，その後多くの議論がこのモデルにもとづいてなされてきました．SP部会勉強会でも，第2回勉強会(2013年)および第5回（2016年）勉強会において「スパッタリングにおける基板入射粒子のエネルギーと薄膜構造の関係」および「数100eVのエネルギーを持った入射粒子とターゲットあるいは薄膜との相互作用」として薄膜構造を取り上げ，主に粒子入射エネルギーと薄膜構造の関係をThorntonモデルにもとづき議論しております．しかしながら，モデルの提唱から40年以上が経つにもかかわらず薄膜マクロ構造への基板温度の影響については十分に議論されておらず，また我々がスパッタリング薄膜構造と基板温度の関係，そしてThorntonモデルにおいて表された薄膜構造に対する基板温度区分の理論的背景を理解しているとは言い難い状況です．スパッタリング法により堆積された薄膜の構造は実用における薄膜の物性およびその安定性に大きく影響するにもかかわらず，「わかったつもり」になって，その基礎的理解を我々はないがしろにしています．
　本勉強会においては，スパッタリング法により堆積された薄膜の構造の特徴を整理するとともに，Thorntonモデルを再度議論した上で，薄膜構造と基板温度・放電圧力の関係，さらには薄膜構造の変化にともなう薄膜物性の変化について勉強していきます．
 

日　時

2018年11月6日（火） 14:00～17:00 （受付 13:30～）
　　　　　　　　　　　14:00～16:00　ラウンドテーブル勉強会
　　　　　　　　　　　16:00～17:00　懇親会・自由討議

場　所

金沢工業大学 東京事務所 会議室 （東京都港区虎ノ門3-17-1 TOKYU REIT虎ノ門ビル6階）　交通アクセス

話題提供・コーディネーター

金沢工業大学高信頼理工学研究センター　教授　草野 英二

参加費　（資料代・消費税を含む） 当日会場にてお支払いください．

スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会会員	無料
日本表面真空学会	3,000円
一般	5,000円
学生	1,000円

申込締切

2018年11月2日（金）

申込方法

申込みは終了しました．

定　員

24名

問合せ先

公益社団法人日本表面真空学会 事務局
TEL： 03-6801-6264　　FAX： 03-3812-2897　　E-mail： office@jvss.jp

勉強会概要

■　スパッタリング法に堆積された薄膜の特徴とは？Thorntonモデルとは？マクロ・ミクロ構造の考え方とは？
■　ThorntonモデルにおけるZone分けの論理的根拠とは？
■　基板に到達した粒子の基板上における運動は？
■　実用において，より安定により良い物性を示す薄膜を堆積する条件は？

主な紹介予定テキスト・文献

1. J.A.Thornton, “Influence of apparatus geometry and deposition conditions on the structure and
　 topography of thick sputtered coatings, J.Vac.Sci.Technol. 11, 666-670(1974).
2. J.A.Thornton, “High Rate Thick Film Growth,” Ann.Rev.Mat.Sci. 7, 239-260(1977).
3. J.A.Thornton, “The microstructure of sputter‐deposited coatings,” J.Vac.Sci.Technol.A 4，
　 3059-3065 (1986)．
4. E.Kusano, “Revisitation of the structure zone model based on the investigation of the structure
　 and properties of Ti, Zr, and Hf thin films deposited at 70–600 °C using DC magnetron sputtering
　 J.Vac.Sci.Technol.A 36, 041506(9 pp.)(2018)
5. E.Kusano, N.Kikuchi, “Mechanisms of the structural modification of Ti films by pulsed direct
　 current and inductively coupled plasma-assisted pulsed direct current sputtering,” Thin Solid
　 Films 634, 73-84(2017)